随着半导体测试技术的不断发展,高温晶元测试已经逐渐成为主流,并且测试温度逐年升高。在不断改良硬件设施的性能外,如何通过持续改进工艺制程和参数来更好的保证高温晶元测试的稳定性和安全性尤为重要 在晶元测试过程中探针卡的探针需要与晶元芯片表面PAD良好接触以建立起测试机到芯片的电流通路。接触的深度需要被控制在微米级,按照晶元层结构设计不同,通常在0.5微米到1.5微米之间较适宜。过浅会造成接触不良导致测试结果不稳定,过深则会有潜在的破坏底层电路的风险。而最直接影响接触深度的物理量就是OD(Over-Drive)。与室温测试相比,由于整套测试硬件在高温环境下会发生热膨胀,且在测试过程中会表现出与热源距离相关的持续波动性,要保证高温测试的稳定安全,需要一套特殊的工艺
2021-02-05